DLC1
DLC2
DLC3
DLC3
PLATIT-Beschichtungs-Anlage
Pi111,
Pi411,
PL1011
Pi411,
PL711
Pi411
PL711
Zusammenstellung
a-C:H:Me
a-C:H:Si
ta-C + a-C
(über 50% ta-C)
ta-C + a-C
(bis zu 50% ta-C)
Prozess
ARC in C2H2-Atmosphäre
PECVD
SPUTTERING
SPUTTERING
Schichtarchitektur
Als Topschicht
Als Stand-Alone oder als Topschicht
Als Stand-Alone
Als Stand-Alone
Dotierung
Ti oder Cr
Si
Keine
Keine
Schichtdicke [µm]
< 1
< 3
0,3 - 1
0,3 - 1
Young’s Modulus [GPa]
200
250
350 - 450
350 - 450
Nanohärte [GPa]
< 20
> 25
35 - 55
> 32
Rauigkeit
Ra ~ 0,1 µm
Rz ~ Schichtdicke
Ra ~ 0,03 µm
Rz ~ Schichtdicke
Ra ~ 0,06 µm
Rz ~ Schichtdicke
Ra ~ 0,02 µm
Rz ~ Schichtdicke
Reibungskoeffizient [μ] von PoD (bei RT, 50 % Luftfeuchtigkeit)
~ 0,15
0,1 - 0,2
~ 0,1
~ 0,1
Max. Anwendungs-Temperatur [°C]
400
400
450
450
Beschichtungs-Temperatur [°C]
< 400
< 220
< 150
< 150
Hauptanwendung
Verbesserung des WZ-Einlaufverfahrens,Schmierung durch Formung von Transferfilmen
Bauteile, Stempel und Matrizen
Werkzeuge
Bauteile
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